尺寸:2 英寸
掺杂:S-doped (n-type)
尺寸:3 英寸
掺杂:S-doped (n-type)
尺寸:4 英寸
掺杂:S-doped (n-type)
尺寸:6 英寸
掺杂:S-doped (n-type)
尺寸:2 英寸
掺杂:Fe-doped (semi-insulating)
尺寸:3 英寸
掺杂:Fe-doped (semi-insulating)
尺寸:4 英寸
掺杂:Fe-doped (semi-insulating)
尺寸:6 英寸
掺杂:Fe-doped (semi-insulating)
// 02 · PRODUCT LINE
InP 磷化铟衬底
Indium Phosphide Substrate
采用 VGF 法生长的磷化铟单晶，经晶圆加工后生成，表面状态、翘曲与电学一致性满足光通信、射频与红外器件的量产需求。可提供 S-doped、Fe-doped 半绝缘多种导电类型。
可选尺寸 · Sizes
2 英寸
3 英寸
4 英寸
6 英寸
掺杂类型 · Doping
硫掺杂 n 型 (S-doped)
铁掺杂半绝缘 (Fe-doped SI)
应用领域 · Applications
光模块
共封装光学
硅光子
高速激光器与探测器
5G 与电信基础设施
无人驾驶传感
// 03 · PRODUCT LINE
外延材料
Epitaxial Materials · InP / InGaAs
基于自产 InP 衬底提供 InP / InGaAs 外延片，采用 MOCVD / MBE 工艺，可按器件结构定制外延层厚度、组分与掺杂浓度，适配高速激光器、光电探测器与硅光子等应用。
可选尺寸 · Sizes
2 英寸
3 英寸
4 英寸
6 英寸
外延结构 · Structures
InP 缓冲层
InGaAs 吸收层
InP / InGaAs 多层结构
应变补偿多量子阱
应用领域 · Applications
光模块
共封装光学
硅光子
高速激光器与探测器
5G 与电信基础设施
无人驾驶传感
// 04 · PRODUCT LINE
定制与原材料
Custom Processing & Raw Materials
支持非标尺寸、特殊取向与偏角、特定电学参数及表面处理的定制加工，并配套供应高纯磷化铟多晶、单晶棒（锭）等原材料，满足研发试制与批量生产的不同阶段需求。
定制选项 · Options
非标尺寸
特殊取向与偏角
定制电阻率
特殊表面处理
键合与贴片
原材料 · Raw Materials
高纯磷化铟多晶
InP 单晶棒（锭）
磷化铟回收料
高纯铟 · 磷
交付形式 · Delivery
单片
小批量试产
批量供货
框架协议
