从 800G/1.6T 光模块到车载激光雷达，InP 衬底与外延材料服务于光模块、共封装光学、硅光子、高速激光器与探测器、5G 与电信基础设施、无人驾驶传感等前沿化合物半导体应用。
六大核心场景，覆盖当前磷化铟材料需求最集中的下游市场。
AI 数据中心高速光模块（800G/1.6T）、长途光纤传输、5G/6G 光前传；用于 DFB 激光器、EML 调制激光器、光电探测器、光子集成芯片 PIC，适配 1310/1550nm 光纤通信窗口。
面向 AI 算力集群的 CPO 方案，将 InP 激光器与硅光引擎共封装，显著降低功耗与延迟；提供高功率 CW 光源、外置激光源 ELS 与光引擎用 InP 增益芯片，适配 800G/1.6T 及下一代 3.2T 光互连。
为硅光平台提供 III-V 材料集成方案：InP 光源芯片通过晶圆级键合与异构集成同硅光波导结合，用于光模块发射端、光互连与光计算；可提供外延片及键合用基片，支持量产级一致性。
面向 100G/200G/400G 单通道速率的 DFB / EML 激光器与 UTC / APD 探测器，InP 衬底与外延结构可按波长（1310/1550nm）与速率定制，满足低啁啾、高带宽、低暗电流要求。
磷化铟 HEMT/HBT 高频晶体管，低噪声、高电子迁移率；用于 5G/6G 基站射频前端、骨干与城域光纤网络、无源光网络 PON、卫星与微波通信，同时具备优秀抗辐射特性，适配航天环境。
主打 1550nm 人眼安全波段车载激光雷达，兼顾测距、单光子探测与 SWIR 短波红外成像，是高端激光雷达光源 / 接收芯片的主流衬底方案，支撑 L3 以上自动驾驶感知系统。
按六大应用领域细分的典型场景，帮助您快速定位材料规格与适配方案。
